Electrónica Industrial

Sección EA

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Franklin Graterol
T.S.U en Electricidad egresado del Instituto universitario Antonio José de Sucre, actualmente estudiante del Séptimo semestre de ingeniería Eléctrica en la Universidad Santiago Mariño.
El UJT image
Transistor uniunión 
El transistor uniunión o transistor unijuntura (en inglés UJT: UniJuntion Transistor) es un tipo de transistor que contiene dos zonas semiconductoras. Tiene tres terminales denominados emisor, base uno y base dos. Está formado por una barra semiconductora tipo N, entre los terminales B 1 − B 2, en la que se difunde una región tipo P+, el emisor, en algún punto a lo largo de la barra, lo que determina el valor del parámetro η, standoff ratio, conocido como razón de resistencias o factor intrínseco.


Símbolo del UJT
                                                                              Construcción
                                                                  Estructura Circuito Equivalente.

Consiste en una placa de material ligeramente dopado de silicio tipo-n. Los dos contactos de base se unen a los extremos de esta superficie tipo n. Estos se indican cómo B 1 y B 2 respectivamente. Un material de tipo p se utiliza para formar una juntura p-n en el límite de la varilla de aluminio y la placa de silicio tipo n. El tercer terminal llamado emisor ( E ) se hace a partir de este material tipo-p. El tipo n está ligeramente contaminado, mientras que el de tipo p está fuertemente contaminado. Como el tipo n está ligeramente dopado, ofrece una alta resistencia mientras que el material tipo p, ofrece baja resistividad puesto que está fuertemente contaminado.

Características

Fijándose en la curva característica del UJT se puede notar que cuando el voltaje V E B 1 sobrepasa un valor V p de ruptura, el UJT presenta un fenómeno de modulación de resistencia que, al aumentar la corriente que pasa por el dispositivo, la resistencia de esta baja y por ello, también baja el voltaje en el dispositivo, esta región se llama región de resistencia negativa. Este es un proceso con realimentación positiva, por lo que esta región no es estable, lo que lo hace excelente para conmutar, para circuitos de disparo de tiristores y en osciladores de relajación.


Funcionamiento
El UJT se polariza normalmente según se ve en su curva de polarización. La base B 1 se lleva a una tensión positiva (5V≤VBB≤30V). Por la resistencia R B 1 B 2 circula entonces una corriente I B 2 = I e :
I B 2 = I e = V B B R B B
El cátodo del diodo emisor se encuentra a una tensión:


V C = R B 1 R B 1 + R B 2 V B B = η V B B. El diodo puede presentar una polarización inversa si V E  es inferior a V C  por lo que se presentará una corriente de fuga I E B O muy pequeña. Por otro lado si V E es superior V C , el diodo queda polarizado directamente y por ende circula una corriente I E  formada por portadores minoritarios que son depositados enR 1. Esta se anula disminuyendo su valor; por esto la tensión V O disminuye también, ahora si bien si V E  es constante, I E  debe aumentar, lo que disminuye aún más a R 1.

Aplicaciones del UJT

Una de las aplicaciones del UJT más común es como generador de pulsos en diente de sierra. Estos pulsos resultan muy útiles para controlar el disparo de la puerta de TRIACS y SCR.

En la siguiente figura, se muestra el esquema de uno de estos circuitos.


Su funcionamiento es como sigue: Al aplicar una tensión VCC al circuito serie R-C, formado por la resistencia variable RS y el condensador CS, dicho condensador comienza a cargarse. Como este condensador está conectado al emisor, cuando se supere la tensión intrínseca, el UJT entrará en conducción. Debido a que el valor óhmico de la resistencia R1 es muy pequeño, el condensador se descargará rápidamente, y en el terminal de B1 aparecerá un impulso de tensión. Al disminuir la corriente de descarga del condensador, sobre el emisor del UJT, por debajo de la de mantenimiento, éste se desceba y comienza otro nuevo ciclo de carga y descarga del condensador. Así, se consigue que en el terminal de la base 1 aparezca una señal pulsante en forma de diente de sierra, que puede utilizarse para controlar los tiempos de disparo de un SCR o de un TRIAC. Para regular el tiempo de disparo es suficiente con modificar el valor óhmico de la resistencia variable RS, ya que de ésta depende la constante de tiempo de carga del condensador.


El PUT image
PUT
El PUT es un semiconductor de cuatro capas (pnpn) cuyo funcionamiento es similar al del UJT. Es un tipo de tiristor y a veces se le llama “tiristor disparado por ánodo” debido a su configuración. Al igual que el UJT, se utiliza como oscilador y base de tiempos, pero es más flexible, ya que la compuerta se conecta a un divisor de tensión que permita variar la frecuencia del oscilador sin modificar la constante de tiempo RC.

Símbolo del PUT
Funcionamiento
Si el PUT está polarizado directamente y aplicamos Vag= 0.7 V, entra en conducción. El PUT permanece encendido hasta que el voltaje anódico es insuficiente, entonces, se apaga. El apagado se debe a que la corriente anódica llega un valor ligeramente menor a la corriente de sostenimiento.

Conexión típica del PUT

Es un dispositivo de disparo ánodo-puerta (ánodo-compuerta) puesto que su disparo se realiza cuando la puerta tenga una tensión más negativa que el ánodo, es decir, la conducción del PUT se realiza por control de las tensiones en sus terminales. Si el PUT es utilizado como oscilador de relajación, el voltaje de compuerta VG se mantiene desde la alimentación mediante el divisor resistivo del voltaje RB1 y RB2, y determina el voltaje de disparo Vp. En el caso del UJT, Vp está fijado por el voltaje de alimentación, pero en un PUT puede variar al modificar el valor del divisor resistivo RB1 y RB2. Si el voltaje del ánodo Va es menor que el voltaje de compuerta Vg, se conservará en su estado inactivo, pero si el voltaje de ánodo excede al de compuerta más el voltaje de diodo Vag, se alcanzará el punto de disparo y el dispositivo se activará. La corriente de pico Ip y la corriente de valle Iv dependen de la impedancia equivalente en la compuerta y del voltaje de alimentación en VBB. En general Rk está limitado a un valor por debajo de 100 ohm.
 
Gráficos corrientes picos y valle vs resistencia de compuerta
 Rk=RB1RB2/(RB1 + RB2)

Aplicaciones
El uso del PUT se encuentra casi limitado a su utilización en osciladores de relajación para disparo de tiristores de potencia en aplicaciones de control de fase. Su alta sensibilidad, les permite trabajar con elevados valores de resistencia de temporización o pequeños valores de capacitancia, en aplicaciones de baja corriente, tales como temporizaciones muy largas o en circuitos alimentadas con baterías. Adicionalmente, por su conmutación debido a un proceso de realimentación positiva de elementos activos, presentan menores tiempos de conmutación que los UJT donde este proceso se debe a un cambio en la conductividad de la barra de silicio por inyección de portadores. En consecuencia menores valores de capacitancia producen pulsos de disparos de la potencia adecuada.

Ejemplo

 
Ejemplo
Para el diseño de un oscilador de relajación con PUT, se debe realizar los siguientes pasos: 1. Al igual que en los UJT, la resistencia de temporización R debe ser lo suficientemente baja para que pueda alcanzar a circular Ip y lo suficientemente alta para que no pueda circular la Iv en forma permanente. Para el caso de los PUT
2. Debe tenerse en cuenta que los valores de Ip e Iv dependen del valor de Rg. El valor de Vp en los PUT es fijado por el circuito exterior, por ejemplo mediante un divisor resistivo como el mostrado. La ecuación básica del PUT es: Vp = Vt + Vs Siendo Vs la tensión de Thevenin vista desde la compuerta y Vt una tensión de offset compuesta por la caída directa de la juntura ánodo compuerta Vag más la caída producida en Rg por la corriente Ip justo antes del disparo.

Voltajes y corrientes en Ánodo – Cátodo mientras el dispositivo oscila

3. Como Vt = Vag + Ip*Rg , un cambio en Rg afecta a ambos términos en forma opuesta. Si Rg aumenta, Ip disminuye y hace decrecer a Vag, pero como Ip no se reduce tan rápido como Rg se incrementa, el producto Ip*Rg aumenta, aumentando el valor de Vt. Como estas variaciones son difíciles de estimar, es de uso generalizado tomar para la mayoría de las aplicaciones.
Vt = 0.6 v
4. El periodo de un oscilador a relajación basado en PUT resulta:
Vct=Vp=Vt+Vs
Por lo que resulta un periodo
T=R*C*Ln((VBB-Vv)/(VBB-Vt-Vs))
Donde Vcc es el voltaje de alimentación del circuito. Despreciando Vv y Vt, se reduce a una expresión equivalente a la ya obtenida para los UJT.
T=R*C*Ln (1+RB1/RB2)
5. Al igual que con los UJT, la amplitud del pulso de salida depende de la velocidad de conmutación, especialmente para capacidades inferiores a 0.01 uF.
6. Valores típicos de frecuencias de oscilaciones se encuentran comprendidas entre los 0.003 Hz y 2.5 KHz.
7. El PUT operando como oscilador de relajación presenta una baja dependencia de su frecuencia con la temperatura debido a que su tensión de compuerta se encuentra fijada exteriormente. Para aplicaciones críticas deben implementarse circuitos de compensación.

El Diac image
Diac
El DIAC (Diodo para Corriente Alterna) es un dispositivo semiconductor doble de dos conexiones. Es un diodo bidireccional autodisparable que conduce la corriente sólo tras haberse superado su tensión de disparo alternativa, y mientras la corriente circulante no sea inferior al valor triple de voltios característico para ese dispositivo. El comportamiento es variable para ambas direcciones de la corriente. La mayoría de los DIAC tienen una tensión de disparo doble variable de alrededor de 30 V. En este sentido, su comportamiento es similar a una lámpara de neón.
Los DIAC son una denominación de tiristor, y se usan normalmente para autocompletar el ritmo variado del disparo de un triac, otra clase de tiristor.
Es un dispositivo semiconductor de dos terminales amenos, ánodo 1 y ánodo 2. Actúa como una llave semicircular interruptora bidireccional la cual se activa cuando el voltaje entre sus terminales variables alcanza el voltaje de quema o accionado, dicho voltaje puede estar entre 20 y 36 volts según la potencia del proceso de fabricación.

Diac
Tipo
Semiconductor
Símbolo electrónico
 
Terminales
A1, A2 (intercambiables)

                            DIAC de tres capas

Existen dos tipos de DIAC:
  1. DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin conexión de base y con las regiones de colector y emisor iguales y muy dopadas. El dispositivo permanece bloqueado hasta que se alcanza la tensión de avalancha en la unión del colector. Esto inyecta corriente en la base que vuelve el transistor conductor, produciéndose un efecto regenerativo. Al ser un dispositivo simétrico, funciona igual en ambas polaridades, intercambiando el emisor y colector sus funciones. 
  2. DIAC de cuatro capas. Consiste en dos diodos Shockley conectados en antiparalelo, lo que le da la característica bidireccional.    
                                                                        Símbolo del diac                                                                           Estructura interna 
Principio de operación y curva característica
La operación del DIAC consiste fundamentalmente en llevar la estructura NPN hasta un voltaje de ruptura equivalente al del transistor bipolar. Debido a la simetría de construcción de este dispositivo, la ruptura puede ser en ambas direcciones y debe procurarse que sea la misma magnitud de voltaje. Una vez que el dispositivo empieza a conducir corriente sucede un decremento en el voltaje de ruptura, presentando una región de impedancia negativa (si se sigue aumentando la corriente puede llegar hasta la segunda ruptura), entonces se logra que el dispositivo maneje corrientes muy grandes.

                                                                      Curva característica del diac
​​​​Como se ilustra en la figura 1, en este dispositivo se tiene siempre una pendiente negativa, por lo cual no es aplicable el concepto de corriente de sustentación.

La conducción ocurre en el DIAC cuando se alcanza el voltaje de ruptura, con cualquier polaridad, a través de las dos terminales. La curva de la figura 1 ilustra esta característica. Una vez que tiene lugar la ruptura, la corriente fluye en una dirección que depende de la polaridad del voltaje en las terminales. El dispositivo se apaga cuando la corriente cae abajo del valor de retención.

Fabricación

La fabricación de los diacs se basa en unir materiales cristalinos semiconductores positivados y negativa dos, como el silicio y el germanio, después de un tratamiento específico. Para que los materiales cristalinos sean semiconductores, se les dopa (introducen su interior) con partículas negativas o positivas, según se requiera convertir el cristal semiconductor en negativo o positivo.


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